MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 2.30 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0555
- Nº ref. fabric.:
- BSS306NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0555
- Nº ref. fabric.:
- BSS306NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 57mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 57mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie BSS de Infineon, tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,30 A - BSS306NH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en conjuntos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para entornos exigentes que requieren bajas pérdidas por conducción y capacidad de conmutación moderada. El encapsulado admite colocación automatizada y es compatible con los enfoques típicos de gestión térmica a nivel de placa.
Características y ventajas:
• La RDS(on) de 57 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 80 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La disipación de potencia de 81 W admite una alta manipulación de potencia de un solo paquete
• La tolerancia de puerta de 20 V permite flexibilidad en la elección de accionamiento de puerta
• El valor nominal de -55 °C a +150 °C mantiene el funcionamiento en temperaturas extremas
• La carga de puerta típica de 80 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La disipación de potencia de 81 W admite una alta manipulación de potencia de un solo paquete
• La tolerancia de puerta de 20 V permite flexibilidad en la elección de accionamiento de puerta
• El valor nominal de -55 °C a +150 °C mantiene el funcionamiento en temperaturas extremas
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de alimentación de sensor de automoción
• Ideal para circuitos de gestión de potencia de DC compactos
• Se utiliza con controladores de motor de baja tensión e interruptores de carga
• Puede utilizarse para protección de baterías y módulos de distribución
• Adecuado para la regulación de alimentación de montaje en superficie
• Ideal para circuitos de gestión de potencia de DC compactos
• Se utiliza con controladores de motor de baja tensión e interruptores de carga
• Puede utilizarse para protección de baterías y módulos de distribución
• Adecuado para la regulación de alimentación de montaje en superficie
¿En qué rango térmico puede funcionar de manera fiable?
Está diseñado para funcionar de –55 a +150 °C para aplicaciones de alta temperatura.
¿Cómo afecta la limitación de tensión de puerta a la selección de accionamiento?
La puerta puede tolerar hasta 20 V, por lo que los diseños de controlador no deben exceder este valor para evitar la tensión de la puerta.
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado SOT-23 diseñado para montaje en superficie y adecuado para el montaje automatizado de PCB.
¿Qué rendimiento de conducción se puede esperar durante el estado activado?
El dispositivo presenta una resistencia máxima de drenaje a fuente de 57 mΩ, lo que reduce la caída de tensión bajo carga.
¿Es adecuado para escenarios de disipación de potencia regulada?
Admite una disipación de potencia máxima de 81 W, lo que permite su uso en aplicaciones de un solo dispositivo de potencia moderada.
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