MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0555
Nº ref. fabric.:
BSS306NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor MOSFET de señal pequeña de modo de mejora de canal N de Infineon se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este dispositivo es OptiMOS 2, transistor de señal pequeña. Nivel lógico (valor nominal de 4,5 V) y clasificación de avalancha. 100 % sin plomo y sin halógenos.

Canal N, modo de mejora

Nivel lógico de 4,5 V nominal

Disipación de potencia máxima de 500 mW

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