MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2277
- Nº ref. fabric.:
- ISS55EP06LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 6000 - 12000 | 0,041 € | 123,00 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2277
- Nº ref. fabric.:
- ISS55EP06LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | ISS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Distrelec Product Id | 304-40-557 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie ISS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Distrelec Product Id 304-40-557 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal P de Infineon destaca por una flexibilidad de diseño y facilidad de manejo para cumplir los requisitos de rendimiento más altos que incluyen la gama de productos de -12 V que son ideales para protección de batería, protección de polaridad inversa, cargadores de batería lineales, conmutación de carga, convertidores dc-dc y aplicaciones de accionamiento de baja tensión.
Canal P
Resistencia de conexión baja, RDS(on)
Probado al 100 % para avalancha
Nivel lógico o nivel normal
Modo de mejora
Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21
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