MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 912-8661
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
330,00 €
(exc. IVA)
390,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,11 € | 330,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,105 € | 315,00 € |
| 9000 + | 0,098 € | 294,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 912-8661
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12V, +12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V - IRLML2244TRPBF
Este MOSFET está diseñado para un rendimiento robusto en un encapsulado compacto SOT-23. Con una corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A y una tensión de drenaje-fuente de 20 V, es adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. El dispositivo funciona en modo de mejora y ofrece un rendimiento fiable en entornos de altas temperaturas, manteniendo la funcionalidad a temperaturas de hasta +150 °C.
Características y ventajas
• El bajo RDS(on) de 54mΩ minimiza las pérdidas por conmutación
• Compatible con la distribución de patillas estándar del sector para facilitar la integración
• Alta fiabilidad con una disipación de potencia máxima de 1,3 W
• Estrecha gama de temperaturas para una eficiencia operativa óptima
• La reducción de la carga de puerta aumenta la eficiencia global
Aplicaciones
• Ideal para conmutación de baja tensión en electrónica
• Adecuado para la gestión de potencia en convertidores CC-CC
• Utilizado en sistemas de control de motores para equipos de automatización
• Se utiliza en circuitos de alimentación para mejorar la gestión de la energía
¿Cuál es el significado de la baja RDS(on) en este componente?
El bajo RDS(on) reduce significativamente las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento, especialmente en aplicaciones de conmutación.
¿Cómo beneficia el rango de temperatura de funcionamiento al diseño de circuitos?
Un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C permite una gran versatilidad en las aplicaciones, permitiendo que el MOSFET funcione de forma fiable en diversos entornos operativos, desde el frío extremo al calor elevado.
¿Qué hace que este dispositivo sea adecuado para la tecnología de montaje en superficie?
El diseño compacto del encapsulado SOT-23 y el pinout compatible facilitan la integración en los diseños de PCB, mejorando la eficiencia de fabricación y permitiendo la producción en masa.
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?
Sí, debido a su alta resistencia térmica y fiabilidad a temperaturas elevadas, es adecuado para aplicaciones de automoción en las que la disipación del calor es crítica.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS -30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines