MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
912-8661
Nº ref. fabric.:
IRLML2244TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.9nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V - IRLML2244TRPBF


Este MOSFET está diseñado para un rendimiento robusto en un encapsulado compacto SOT-23. Con una corriente de drenaje continua máxima de 4,3 A y una tensión de drenaje-fuente de 20 V, es adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. El dispositivo funciona en modo de mejora y ofrece un rendimiento fiable en entornos de altas temperaturas, manteniendo la funcionalidad a temperaturas de hasta +150 °C.

Características y ventajas


• El bajo RDS(on) de 54mΩ minimiza las pérdidas por conmutación

• Compatible con la distribución de patillas estándar del sector para facilitar la integración

• Alta fiabilidad con una disipación de potencia máxima de 1,3 W

• Estrecha gama de temperaturas para una eficiencia operativa óptima

• La reducción de la carga de puerta aumenta la eficiencia global

Aplicaciones


• Ideal para conmutación de baja tensión en electrónica

• Adecuado para la gestión de potencia en convertidores CC-CC

• Utilizado en sistemas de control de motores para equipos de automatización

• Se utiliza en circuitos de alimentación para mejorar la gestión de la energía

¿Cuál es el significado de la baja RDS(on) en este componente?


El bajo RDS(on) reduce significativamente las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento, especialmente en aplicaciones de conmutación.

¿Cómo beneficia el rango de temperatura de funcionamiento al diseño de circuitos?


Un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C permite una gran versatilidad en las aplicaciones, permitiendo que el MOSFET funcione de forma fiable en diversos entornos operativos, desde el frío extremo al calor elevado.

¿Qué hace que este dispositivo sea adecuado para la tecnología de montaje en superficie?


El diseño compacto del encapsulado SOT-23 y el pinout compatible facilitan la integración en los diseños de PCB, mejorando la eficiencia de fabricación y permitiendo la producción en masa.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?


Sí, debido a su alta resistencia térmica y fiabilidad a temperaturas elevadas, es adecuado para aplicaciones de automoción en las que la disipación del calor es crítica.

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