MOSFET Infineon IRLML2244TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 760-4438
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
630 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,07 €
(exc. IVA)
0,08 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,07 € | 0,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 760-4438
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2244TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET de potencia de canal P simple StrongIRFETTM de -20 V en un encapsulado SOT-23
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para capacidad de corriente alta y RDS(on) baja. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Resumen de las características
- Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
- Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
- Optimización de silicona para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Ventajas
- La salida de contactos estándar permite la sustitución en caída
- Nivel de cualificación estándar del sector
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Mayor densidad de potencia
Aplicaciones potenciales
- Protección de batería
- SMPS
- Interruptor dc
- Interruptor de carga
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,3 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 95 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.1V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,3 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6,9 nC a 4,5 V |
| Ancho | 1.4mm |
| Longitud | 3.04mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 1.02mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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