MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP2065UQ-7, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 246-7524
- Nº ref. fabric.:
- DMP2065UQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,277 € | 6,93 € |
| 50 - 75 | 0,272 € | 6,80 € |
| 100 - 225 | 0,201 € | 5,03 € |
| 250 - 975 | 0,196 € | 4,90 € |
| 1000 + | 0,191 € | 4,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 246-7524
- Nº ref. fabric.:
- DMP2065UQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.2W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.2W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal P, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y al mismo tiempo mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT23. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V La tensión máxima de puerta a fuente es de ±12 V Ofrece un diseño pequeño y el encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad Ofrece un diseño pequeño El encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad
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