MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
244-2274
Nº ref. fabric.:
ISS17EP06LMXTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

ISS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal P de Infineon ofrece flexibilidad de diseño y facilidad de manejo para cumplir los requisitos de rendimiento más altos, entre los que se incluyen la gama de productos de 12V V que son ideales para protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de batería lineal, conmutación de carga, convertidores dc-dc, y aplicaciones de accionamiento de baja tensión.

Canal P.

Baja resistencia de conexión RDS(on)

100 % a prueba de avalancha

Nivel lógico o nivel normal

Modo de mejora

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

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