MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 0.15 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0557
Nº ref. fabric.:
BSS315PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal P de Infineon con transistor de modo de mejora se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Transistor de señal pequeña OptiMOS P 2. Nivel lógico Valor nominal de 4,5 V, clasificación de avalancha.

El nivel lógico es de 4,5 V nominal

100 % sin plomo y sin halógenos

La disipación de potencia máxima es de 500 mW

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