MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS315PH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 0.15 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0558
- Nº ref. fabric.:
- BSS315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,235 € | 2,35 € |
| 100 - 240 | 0,224 € | 2,24 € |
| 250 - 490 | 0,152 € | 1,52 € |
| 500 - 990 | 0,141 € | 1,41 € |
| 1000 + | 0,106 € | 1,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 250-0558
- Nº ref. fabric.:
- BSS315PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El canal P de Infineon con transistor de modo de mejora se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Transistor de señal pequeña OptiMOS P 2. Nivel lógico Valor nominal de 4,5 V, clasificación de avalancha.
El nivel lógico es de 4,5 V nominal
100 % sin plomo y sin halógenos
La disipación de potencia máxima es de 500 mW
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