MOSFET Toshiba, Tipo N-Canal SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 171-2542
- Nº ref. fabric.:
- SSM3K335R
- Fabricante:
- Toshiba
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 171-2542
- Nº ref. fabric.:
- SSM3K335R
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 0.7mm | |
| Anchura | 1.8mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 0.7mm | ||
Anchura 1.8mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V.
Resistencia de conexión de drenador-fuente baja
RDS(ON) = 38 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)
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