MOSFET Toshiba, Tipo N-Canal SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-2542
Nº ref. fabric.:
SSM3K335R
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Altura

0.7mm

Anchura

1.8 mm

Longitud

2.9mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origen):
TH
Tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V.

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 38 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)

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