MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
415-354
Nº ref. fabric.:
2SK3878(F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Serie

2SK

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Ancho

4.8mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.9mm

Altura

19mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba



Transistores MOSFET, Toshiba

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