MOSFET IXYS IXFQ28N60P3, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
802-4451
Nº ref. fabric.:
IXFQ28N60P3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

260 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

695 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

50 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

15.8mm

Altura

20.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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