MOSFET IXYS IXFQ34N50P3, VDSS 500 V, ID 34 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
802-4455
Nº ref. fabric.:
IXFQ34N50P3
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

175 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

695 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Ancho

4.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Longitud

15.8mm

Altura

20.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)


Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados