MOSFET onsemi, N-Canal FCA20N60F, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
865-1230
Nº ref. fabric.:
FCA20N60F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

600 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

20 A

Encapsulado

TO-3PN

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Configuración de transistor

Simple

Altura

20.1 mm

Longitud

16.2 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

190 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V, -30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

208 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

SuperFET

Anchura

5 mm

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.

Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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