- Código RS:
- 865-1230
- Nº ref. fabric.:
- FCA20N60F
- Fabricante:
- onsemi
32 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio Unidad
6,16 €
(exc. IVA)
7,45 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 9 | 6,16 € |
10 - 99 | 5,23 € |
100 - 249 | 4,20 € |
250 - 499 | 3,96 € |
500 + | 3,69 € |
- Código RS:
- 865-1230
- Nº ref. fabric.:
- FCA20N60F
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Serie | SuperFET |
Tipo de Encapsulado | TO-3PN |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 208 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Ancho | 5mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Longitud | 16.2mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 75 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 20.1mm |
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