MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCA20N60F, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN, Mejora de 3 pines, config. Simple

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

6,16 €

(exc. IVA)

7,45 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
1 - 96,16 €
10 +5,31 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
865-1230
Nº ref. fabric.:
FCA20N60F
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-3PN

Serie

SuperFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.1mm

Longitud

16.2mm

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild añadió la familia de MOSFET de potencia de alta tensión SuperFET® II utilizando la tecnología Super Junction. Proporciona el mejor rendimiento de diodo de cuerpo robusto de su clase en aplicaciones de fuentes de alimentación de modo conmutado ac-dc (SMPS), como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, SAI/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación, que requieren alta densidad de potencia, eficiencia del sistema y fiabilidad.

Utilizando una tecnología avanzada de balance de carga, los diseñadores logran soluciones más eficientes, rentables y de alto rendimiento que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi


><

Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

Enlaces relacionados