MOSFET Toshiba TK10J80E, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
796-5159
Nº ref. fabric.:
TK10J80E
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Serie

TK

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.5mm

Longitud

15.5mm

Altura

20mm


Transistores MOSFET, Toshiba

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