MOSFET Toshiba TPWR8503NL, VDSS 30 V, ID 300 A, DSOP de 8 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-2373
Nº ref. fabric.:
TPWR8503NL
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DSOP

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

142 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

74 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

5mm

Altura

0.73mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Estado RoHS: No aplica

Convertidores dc-dc de alta eficiencia
Reguladores de tensión de conmutación
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 16 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 1,0 mΩ (típ) (VGS = 4,5 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 30 V)
Modo de mejora: Vth = 1,3 a 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

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