MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-6274
- Nº ref. fabric.:
- TK7P60W,RVQ(S
- Fabricante:
- Toshiba
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 827-6274
- Nº ref. fabric.:
- TK7P60W,RVQ(S
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 7 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | TK | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 600 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.7V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 60 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 15 nC a 10 V | |
| Ancho | 6.1mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 7 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie TK | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 600 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3.7V | ||
Disipación de Potencia Máxima 60 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Longitud 6.6mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 15 nC a 10 V | ||
Ancho 6.1mm | ||
Altura 2.3mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
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