MOSFET onsemi FQD2N80TM, VDSS 800 V, ID 1,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1, 8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

QFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6, 3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2, 5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Longitud

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

6.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.3mm