MOSFET onsemi FQD2N80TM, VDSS 800 V, ID 1,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 166-1793
- Nº ref. fabric.:
- FQD2N80TM
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
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- 166-1793
- Nº ref. fabric.:
- FQD2N80TM
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1,8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 6,3 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,5 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 12 nC a 10 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 6.1mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Altura | 2.3mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 1,8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 800 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie QFET | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 6,3 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2,5 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 12 nC a 10 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 6.1mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Altura 2.3mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
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