MOSFET onsemi FQD7P06TM, VDSS 60 V, ID 5.4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-1030
Nº ref. fabric.:
FQD7P06TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

451 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2500 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,3 nC a 10 V

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Ancho

6.22mm

Altura

2.39mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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