MOSFET onsemi FQD20N06TM, VDSS 60 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Serie

QFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

63 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Longitud

6.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,5 nC a 10 V

Altura

2.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C