MOSFET onsemi HUFA76429D3ST-F085, VDSS 60 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
124-1427
Nº ref. fabric.:
HUFA76429D3ST-F085
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

UltraFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
US

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
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