MOSFET onsemi FQD1N80TM, VDSS 800 V, ID 1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-0986
Nº ref. fabric.:
FQD1N80TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

QFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2500 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

6.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.3mm

COO (País de Origen):
MY

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