Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi FDD6670A, VDSS 30 V, ID 66 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 809-0907P
Nº ref. fabric.:: FDD6670A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDD6670A, VDSS 30 V, ID 66 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 809-0907P
Nº ref. fabric.:: FDD6670A
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	66 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Serie	PowerTrench
	Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	63 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Longitud	6.73mm
	Ancho	6.22mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	16 nC a 5 V
	Material del transistor	Si
	Altura	2.39mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 66 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Serie PowerTrench
	Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 13 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 63 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Longitud 6.73mm
	Ancho 6.22mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 16 nC a 5 V
	Material del transistor Si
	Altura 2.39mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

MOSFET onsemi FDD6670A, VDSS 30 V, ID 66 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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