MOSFET onsemi NDD05N50ZT4G, VDSS 500 V, ID 5,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
163-2672
Nº ref. fabric.:
NDD05N50ZT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,5 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.38mm

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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