MOSFET onsemi FDD8424H-F085A, VDSS 40 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 5 pines, 2elementos, config. Drenaje común
- Código RS:
- 166-2045
- Nº ref. fabric.:
- FDD8424H-F085A
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 166-2045
- Nº ref. fabric.:
- FDD8424H-F085A
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N, P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 5 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 37 MΩ, 80 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W, 35 W | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Número de Elementos por Chip | 2 | |
| Ancho | 6.22mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 14 nC a 10 V, 17 nC a 10 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N, P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 5 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 37 MΩ, 80 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 3V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 30 W, 35 W | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Longitud 6.73mm | ||
Número de Elementos por Chip 2 | ||
Ancho 6.22mm | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 14 nC a 10 V, 17 nC a 10 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 2.39mm | ||
- COO (País de Origen):
- US
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi Tipo P-Canal FDD8424H ID 9 A Mejora de 5 pines config. Drenaje común
- MOSFET onsemi FDD3682-F085 ID 32 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FDD8444L-F085 ID 50 A , config. Simple
- MOSFET onsemi HUFA76429D3ST-F085 ID 20 A , config. Simple
- MOSFET onsemi ECH8663R-TL-H ID 8 A 2elementos, config. Drenaje común
- MOSFET onsemi FDS4559-F085 ID 3 4 SOIC de 8 pines config. Aislado
- MOSFET onsemi FDG6332C-F085 ID 600 mA SOT-363 (SC-70) de 6 pines config. Aislado
- AEC-Q100 IGBT N-Canal9 A DPAK (TO-252) 1MHZ Simple
