MOSFET onsemi FDS4559-F085, VDSS 60 V, ID 3,5 A, 4,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 864-8647
- Nº ref. fabric.:
- FDS4559-F085
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
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- Código RS:
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- Nº ref. fabric.:
- FDS4559-F085
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N, P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,5 A, 4,5 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 94 mΩ, 190 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2 W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Número de Elementos por Chip | 2 | |
| Ancho | 3.9mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 12,5 nC a 10 V, 15 nC a 10 V | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1.575mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N, P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 3,5 A, 4,5 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V | ||
Tipo de Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 94 mΩ, 190 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2 W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Número de Elementos por Chip 2 | ||
Ancho 3.9mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 12,5 nC a 10 V, 15 nC a 10 V | ||
Longitud 4.9mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1.575mm | ||
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