MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
914-8154
Nº ref. fabric.:
IRF540NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

71nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.77mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.69 mm

Longitud

10.54mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 33 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V - IRF540NPBF


Este MOSFET está diseñado para proporcionar capacidades de conmutación y gestión de potencia eficientes en diversas aplicaciones electrónicas. El dispositivo funciona con una corriente de drenaje continua máxima de 33 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V. Alojado en un encapsulado TO-220AB, este componente es idóneo para usos industriales y comerciales, garantizando su longevidad y fiabilidad en diversas condiciones ambientales.

Características y ventajas


• Utiliza un procesamiento avanzado para una baja resistencia a la conexión

• Admite velocidades de conmutación rápidas para un funcionamiento eficaz

• Totalmente apto para avalanchas para una mayor fiabilidad en condiciones difíciles

• Ofrece un amplio rango de tensión umbral de puerta para mayor flexibilidad

• Diseñado para montaje pasante para facilitar la instalación

Aplicaciones


• Ideal para conmutación de alta corriente en fuentes de alimentación

• Utilizados en sistemas de automatización y control

• Adecuado para circuitos de control y accionamiento de motores

• Eficaz en inversores y convertidores para sistemas de energías renovables

¿Cuál es el significado del bajo RDS(on) en este dispositivo?


Un RDS(on) bajo mejora la eficiencia al reducir la pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que permite una mejor gestión térmica y mejora el rendimiento general en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo influye la funcionalidad del modo de mejora en su uso?


El modo de mejora permite un funcionamiento a baja corriente hasta que se aplica una tensión de puerta específica, lo que lo hace fiable para aplicaciones de conmutación en las que es esencial un control preciso.

¿Cuál es la importancia del diseño del envase TO-220AB?


El encapsulado TO-220AB garantiza una disipación eficaz del calor y admite altos niveles de disipación de potencia, al tiempo que facilita el montaje en diversas configuraciones de circuitos.

¿Cómo se comporta este MOSFET a temperaturas extremas?


Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, y está diseñado para mantener el rendimiento en entornos exigentes, garantizando la fiabilidad incluso en condiciones difíciles.

¿Para qué tipo de aplicaciones de conmutación es adecuado?


Es ideal para alimentar cargas en aplicaciones que requieren conmutación rápida, como sistemas de accionamiento de motores, convertidores de potencia y diversos circuitos de control electrónico.

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