MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
206-6067
Nº ref. fabric.:
STO67N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STO67N60DM6

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

59mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72.5nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.8 mm

Altura

2.2mm

Longitud

11.48mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto fuente de accionamiento adicional

Enlaces relacionados

Recently viewed