MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
151-942
Nº ref. fabric.:
STP6NK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

28.9mm

Altura

28.9mm

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se obtiene mediante una optimización extrema de un diseño de MESH de potencia bien establecido basado en tiras. Además de reducir considerablemente la resistencia, se ha puesto especial cuidado en garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Capacidad dv/dt extremadamente alta

100% a prueba de avalanchas

Carga de puerta minimizada

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