MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

8,12 €

(exc. IVA)

9,83 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 40 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 50 unidad(es) más para enviar a partir del 18 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 +0,812 €8,12 €

*precio indicativo

Código RS:
151-942
Nº ref. fabric.:
STP6NK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

28.9mm

Longitud

28.9mm

Anchura

10.4 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se obtiene mediante una optimización extrema de un diseño de MESH de potencia bien establecido basado en tiras. Además de reducir considerablemente la resistencia, se ha puesto especial cuidado en garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Capacidad dv/dt extremadamente alta

100% a prueba de avalanchas

Carga de puerta minimizada

Enlaces relacionados