MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R075CFD7AUMA1, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 222-4912
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,655 € | 11,31 € |
| 20 - 48 | 5,025 € | 10,05 € |
| 50 - 98 | 4,695 € | 9,39 € |
| 100 - 198 | 4,355 € | 8,71 € |
| 200 + | 4,065 € | 8,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4912
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R075CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 189W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 189W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 es la última tecnología MOSFET de superunión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69% inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
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