MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 214-4399
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R365P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4399
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R365P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 365mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 365mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 8.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
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