MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R365P7AUMA1, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
214-4400
Nº ref. fabric.:
IPL60R365P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ThinPAK

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

365mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.1 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

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