MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 17 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
222-4913
Nº ref. fabric.:
IPL60R125C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ThinPAK

Serie

IPL60R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8.1mm

Anchura

8.1 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia.

Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss

Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)

Frecuencia de conmutación aumentada

Mejor R (on)*A del mundo

Diodo de cuerpo resistente

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