MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
222-4906
Nº ref. fabric.:
IPL60R060CFD7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPD50R

Encapsulado

ThinPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

79nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

219W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.1 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 es la última tecnología MOSFET de superunión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69% inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.

La mejor resistencia a conmutación dura de su clase

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Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia

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