MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
222-4915
Nº ref. fabric.:
IPL60R185P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ThinPAK

Serie

IPL60R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

185mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8.1mm

Anchura

8.1 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta R G integrada

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

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