MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 27 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 217-2537
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R125P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2537
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R125P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPL | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPL | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) gracias a un excelente resistencia a conmutación
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
Excelente resistencia ESD > 2kV (HBM) para todos los productos
Mejores productos RDS(on)/package en comparación con los productos de la competencia habilitados por un
Baja RDS(on)*A(below1Ohm*mm²)
Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales
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