MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 27 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines

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Código RS:
217-2537
Nº ref. fabric.:
IPL60R125P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ThinPAK

Serie

IPL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

111W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.8 mm

Longitud

8.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) gracias a un excelente resistencia a conmutación

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Excelente resistencia ESD > 2kV (HBM) para todos los productos

Mejores productos RDS(on)/package en comparación con los productos de la competencia habilitados por un

Baja RDS(on)*A(below1Ohm*mm²)

Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales

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