MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STP100N8F6, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
719-658
Nº ref. fabric.:
STP100N8F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

STP

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.6mm

Longitud

15.75mm

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología STripFETTM F6 con una nueva estructura de puerta de trinchera. El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) muy bajo en todos los encapsulados.

Resistencia encendida muy baja

Carga de puerta muy baja

Alta robustez ante avalanchas

Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja

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