MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STP100N8F6, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 719-658
- Nº ref. fabric.:
- STP100N8F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | STP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.009Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie STP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.009Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN