MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STP25N018M9, VDSS 250 V, ID 56 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 711-524
- Nº ref. fabric.:
- STP25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 711-524
- Nº ref. fabric.:
- STP25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP25 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP25 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con bajo RDS(on) por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El resultado El producto tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
FOM muy bajo (RDS(on)·Qg)
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalancha
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