MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

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Código RS:
719-470
Nº ref. fabric.:
SCT025W120G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Serie

Sct

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

2.7V

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.9mm

Altura

25.27mm

Anchura

5.1mm

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ igual a 200 °C)

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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