MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 719-470
- Nº ref. fabric.:
- SCT025W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-470
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- SCT025W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | Sct | |
| Encapsulado | Hip-247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 388W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 25.27mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie Sct | ||
Encapsulado Hip-247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 388W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 25.27mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN