MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

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Código RS:
719-470
Nº ref. fabric.:
SCT025W120G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

Sct

Encapsulado

Hip-247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

2.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.9mm

Altura

25.27mm

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ igual a 200 °C)

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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