MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines
- Código RS:
- 230-0094
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA60N120G2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
25,80 €
(exc. IVA)
31,22 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 25,80 € |
| 2 - 4 | 25,13 € |
| 5 + | 24,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 230-0094
- Nº ref. fabric.:
- SCTWA60N120G2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 388W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 388W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El STMicroelectronics SCTWA60N es un dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio que se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET de SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
- MOSFET STMicroelectronics SCT070W120G3AG ID 30 A, Hip-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 3 pines