MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 unidad)*

23,12 €

(exc. IVA)

27,98 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 30 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +23,12 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-973
Nº ref. fabric.:
SCTWA40N12G24AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTWA40N12G24AG

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

290W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

3.4V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 2ª generación de ST. El dispositivo presenta una resistencia a la conexión por unidad de superficie notablemente baja y un rendimiento de conmutación muy bueno. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia

Enlaces relacionados