MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 45 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
168-8966
Nº ref. fabric.:
SCT30N120
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

20.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics


Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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