MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines

Código RS:: 212-2094
Nº ref. fabric.:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines

30 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

32,11 €

(exc. IVA)

38,85 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	32,11 €
5 - 9	31,44 €
10 +	29,52 €

Código RS:: 212-2094
Nº ref. fabric.:: SCTWA40N120G2V-4
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

DataSheet - SCTWA40N120G2V-4

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

SiC MOSFET

MOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El MOSFET STPOWER SiC presenta pérdidas de conmutación significativamente reducidas, incluso a altas temperaturas. Esto permite al diseñador funcionar a frecuencias de conmutación muy altas, reduciendo el tamaño de los componentes pasivos para factores de forma más pequeños.

Pérdidas de conmutación muy bajas
Bajas pérdidas de potencia a altas temperaturas
Mayor temperatura de funcionamiento (hasta 200 ˚C)
Diodo de cuerpo sin pérdidas de recuperación
Fácil de manejar

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	SCTWA40N120G2V-4
Tipo de Encapsulado	HiP247-4
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,07 Ω
Material del transistor	SiC