MOSFET STMicroelectronics SCT070W120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
330-234
Nº ref. fabric.:
SCT070W120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT0

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Tensión directa Vf

3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

236W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Cualificado AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Muy alta capacidad de temperatura de unión TJ igual a 200 °C

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