MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-5475
Nº ref. fabric.:
SCT10N120
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.58Ω

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Altura

34.95mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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