Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
202-4776
Nº ref. fabric.:
SCT10N120AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.52Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

4.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Altura

34.95mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Enlaces relacionados