Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT10N120AG, VDSS 1.200 V, ID 12 A, HiP247 de 3 pines
- Código RS:
- 202-4776
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
20 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio 1 Tubo de 30
214,52 €
(exc. IVA)
259,57 €
(inc.IVA)
Tubo(s) | Por Tubo | Por unidad* |
|---|---|---|
| 1 + | 214,52 € | 7,151 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-4776
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Baja capacitancia
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 12 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Serie | SCT |
| Tipo de Encapsulado | HiP247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,52 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 25V |
| Material del transistor | SiC |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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