Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-4776
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-4776
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 34.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 34.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
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