Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 16 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

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Código RS:
202-4778
Nº ref. fabric.:
SCT20N120AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.52Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Disipación de potencia máxima Pd

153W

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Anchura

4.7 mm

Altura

15.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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