Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 16 A, Hip-247, Reducción de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

387,94 €

(exc. IVA)

469,41 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 18 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tubo(s)
Por Tubo
Por unidad*
1 +387,94 €12,931 €

*precio indicativo

Código RS:
202-4778
Nº ref. fabric.:
SCT20N120AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.52Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

3.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Disipación de potencia máxima Pd

153W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Altura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Enlaces relacionados