Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120AG, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-4803
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
7,51 €
(exc. IVA)
9,09 €
(inc.IVA)
Añade 12 unidades para conseguir entrega gratuita
Últimas existencias de RS
- Última(s) 582 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 7,51 € |
| 5 - 9 | 7,32 € |
| 10 + | 7,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-4803
- Nº ref. fabric.:
- SCT10N120AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 34.95mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 34.95mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Enlaces relacionados
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- Módulo de potencia SiC STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247, Reducción de 3 pines