Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines

Código RS:: 202-5479
Nº ref. fabric.:: SCT50N120
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

29,93 €

(exc. IVA)

36,22 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	29,93 €
5 - 9	29,16 €
10 +	28,43 €

Código RS:: 202-5479
Nº ref. fabric.:: SCT50N120
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCT50N120

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	SCT
Tipo de Encapsulado	HiP247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,59 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	SiC

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCT50N120, VDSS 1.200 V, ID 65 A, HiP247 de 3 pines

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Especificaciones

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