MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 45 A, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
212-2093
Nº ref. fabric.:
SCTWA40N120G2V-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTWA40N120G2V-4

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

3.3V

Disipación de potencia máxima Pd

277W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

15.9mm

Anchura

21.1 mm

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

SiC MOSFET


MOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El MOSFET STPOWER SiC presenta pérdidas de conmutación significativamente reducidas, incluso a altas temperaturas. Esto permite al diseñador funcionar a frecuencias de conmutación muy altas, reduciendo el tamaño de los componentes pasivos para factores de forma más pequeños.

Pérdidas de conmutación muy bajas

Bajas pérdidas de potencia a altas temperaturas

Mayor temperatura de funcionamiento (hasta 200 ˚C)

Diodo de cuerpo sin pérdidas de recuperación

Fácil de manejar

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