MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
215-073
Nº ref. fabric.:
SCT025W120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Anchura

15.6 mm

Altura

5mm

Longitud

34.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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